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国内刊号：11-2223/N
国际刊号：1000-0054
发布日期:
作者：崔彬, 李欣阳, 薛芃, 蒋晓华
单位：清华大学 电机工程与应用电子技术系, 电力系统及大型发电设备控制和仿真国家重点实验室, 北京 100084
关键词：双主动全桥变换器,高频振荡,分布电容,高速开关器件
基金：国家自然科学基金面上项目（51877114）
随着新一代宽禁带半导体器件在双主动全桥（DAB）变换器中的应用，变换器交流侧出现较高的电压上升率（dv/dt）。高dv/dt含有丰富的高频谐波成分，引起变压器分布电容与系统感性元件之间产生严重的高频振荡问题。该文基于高频变压器π型三电容分布参数模型，推导了变压器端口电压高频振荡的时域解析方程，定量分析了dv/dt和变压器分布电容对高频振荡幅值的影响，并通过调节系统dv/dt实现了对高频振荡幅值的抑制。搭建了DAB变换器实验样机系统和对应的LTspice电路仿真模型，验证了高频振荡问题理论分析的合理性和正确性。
来源：2020年第6期
《清华大学学报(自然科学版)》期刊编辑部
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