清华大学学报(自然科学版)

作者：李郑, 郑世刚, 党晓勇, 季文, 刘瞿, 蔡志鹏

单位：1. 清华大学 机械工程系, 北京 100084;<br>2. 火箭军, 北京 100074;<br>3. 北京动力机械研究所, 北京 100074;<br>4. 清华大学 天津高端装备研究院, 天津 300300;<br>5. 清华大学 摩擦学国家重点实验室, 北京 100084

关键词：残余奥氏体,脉冲磁场,深冷处理,位错密度

基金：教育部联合基金重点项目(8091B012201);国家自然科学基金重点项目(52031003)

为研究脉冲磁场辅助深冷处理对Cr4Mo4V轴承钢中残余奥氏体组织的影响,采用X射线衍射、振动样品磁强计、电子背散射衍射等进行实验,结果表明：纯深冷(DC)处理工艺使Cr4Mo4V轴承钢中残余奥氏体体积分数从(23.8±0.6)%下降到(21.5±0.9)%,而在深冷处理过程中加入辅助脉冲磁场(MDC)仅使残余奥氏体体积分数从(23.3±0.3)%下降到(22.5±0.5)%。振动样品磁强计和电子背散射衍射的实验结果也验证了辅助脉冲磁场可以抑制部分残余奥氏体相变。将处理后的轴承钢样品进行一次高温回火后发现,MDC处理使残余奥氏体具有更好的高温稳定性。对材料中几何必要位错密度的对比分析发现,DC处理使位错密度增加了9.8%,而MDC处理下位错密度仅增加了6.5%,这表明脉冲磁场的加入抑制了DC处理时位错密度的增加,进而有效减少了马氏体的形核部位,使得残余奥氏体的转变得到抑制。脉冲磁场通过提高位错移动性降低材料中的位错密度,是Cr4Mo4V轴承钢中残余奥氏体稳定化的主要原因。

来源：2024年第12期

《清华大学学报(自然科学版)》期刊编辑部

查看清华大学学报(自然科学版)杂志2024年第12期